研发更先进的芯片！

现阶段，李青松已经掌握了45纳米制程芯片的大规模制造技术。

按照人类世界已经实践过的技术路线，下一代，李青松应该研制28纳米制程的芯片。

但结合这些年来的不间断研究以及技术进步，李青松决定，绕过28纳米芯片，直接去研究更下一代的，20纳米制程的芯片！

一旦20纳米芯片研发成功，单枚芯片晶体管数量将会从约10亿个，直接暴涨提升到40亿个。单枚芯片的综合性能也将提升约60%到100%之间。

但这不是最重要的，最重要的是，更高制程的芯片，可以适配更先进的并行算法以及配套硬件，单台超算里，李青松可以使用更多枚芯片并行运算，一台超算的算力大约可以在现有基础上提升40倍！

前景如此美好，但直接从45纳米提升到20纳米，绕过28纳米，显然意味着巨大的障碍和极高的难度。

计算科技研究基地里，李青松再度抽调了众多克隆体，在原有研究基础上，一同开始了对更先进芯片的研究之中。

短时间的预研之后，自己所需要攻克的技术难点分成了几个大类，呈现在了李青松面前。

“首先，我现在使用的深紫外光源波长太长，分辨率已经到达了极限，衍射效应导致图案模糊，不能刻写更小的晶体管结构。

其次，传统的晶体管在这个尺寸下，短沟道效应明显，功耗和性能难以控制啊。

还有，传统的硅栅极介质物理特性不能满足要求，这个也要改进……”

李青松将克隆体们分成了几个大的团队，分别对各个方面的难题展开攻关。

日夜不休的研究之中，首先是光源出现了突破。

李青松开发出了波长更短的极紫外光源，将光的波长缩短到了仅有约13.5纳米，由此大大提升了分辨率。

除此之外，李青松还改变了之前的工艺，将之前的单次曝光，改为了多重曝光，便能通过增加工艺流程的方式，实现了加工精度的极大提升。

在这之后，李青松还找到了性能更好的材料，使用金属栅极代替二氧化硅栅极，再次实现了技术突破。

此刻已经是半年时间过去。其余大部分技术难题都被李青松攻克，唯有最难，也是最为重要的一个技术障碍仍旧横亘在李青松面前。

短沟道效应。

当晶体管的长度缩短到一定幅度之下后，电场分布和载流子行为会因为物理规律而发生一定的改变，而这会导致晶体管的阈值电压下降、漏致势垒降低等

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